Descripción:
El módulo de memoria IC MB85RC256V es un circuito integrado de memoria no volátil que utiliza tecnología ferroeléctrica para almacenar datos de forma permanente, incluso cuando se corta la alimentación. Este tipo de memoria es conocida como Ferroelectric RAM (FRAM).
Características:
FRAM no es volátil y se puede leer/escribir fácilmente 10 billones de veces.
Es similar a la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM), con una capa ferroeléctrica en lugar de una capa dieléctrica.
Es particularmente adecuado para usar con registradores de datos de baja potencia y para almacenar datos en búfer en ausencia de una fuente de voltaje estable.
El chip FRAM utilizado proporciona 8 KB de memoria y UTILIZA un reloj de hasta 20 MHz.
Cada byte se puede leer y escribir instantáneamente, pero mantendrá la memoria durante 95 años a temperatura ambiente.
Especificación:
Condición: 100%
Dirección: 1010+A2+A1+A0
Predeterminado: 0x50
VCC/lógica: 2,7-5,5 V
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Escoger un tipo:
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Regulador / Estabilizador Ascendente de 0.9-5V a 5V 600mah USB
Estabilizador / regulador descendente de voltaje múltiple DC-DC LM2596 4-40V 3A
Módulo de memoria IC MB85RC256V
