• Nuevo
  • Transistor MOSFET RJP63K2 TO-263
  • Transistor MOSFET RJP63K2 TO-263
  • Transistor MOSFET RJP63K2 TO-263
  • Transistor MOSFET RJP63K2 TO-263

Transistor MOSFET RJP63K2 TO-263

L150.00
Impuestos incluidos

Transistor MOSFET RJP63K2 TO-263

L150.00
Impuestos incluidos
Cantidad

Características:

El RJP63K2 es un transistor IGBT de canal N diseñado para la conmutación de potencia a alta velocidad, comúnmente utilizado en aplicaciones como televisores de plasma y fuentes de alimentación conmutadas. 

está optimizado para operaciones de alta velocidad y baja tensión de saturación, lo que lo hace ideal para su uso en circuitos de conmutación de potencia efici. Es un componente muy común en la reparación de equipos electrónicos, como se menciona en contextos de reparación de televisores. 

Control de Motores y Sistemas Industriales 

Accionamientos de Motores (Motor Drives): Controla la velocidad y el par en motores industriales, sistemas de tracción ferroviaria (locomotoras y tranvías) y vehículos eléctricos.

Sistemas de Alimentación Ininterrumpida (UPS): Facilita la transición rápida entre la red eléctrica y la batería.

Sistemas HVAC: Se emplea en el control de compresores y ventiladores en sistemas de aire acondicionado y calefacción para mejorar la eficiencia energética. 

Calentamiento por Inducción: Utilizado en cocinas de inducción y equipos de calefacción industrial que requieren conmutación de alta frecuencia.

Equipos de Soldadura: Debido a su capacidad para manejar altas corrientes (hasta 35A-40A) y voltajes (630V).

Especificaciones:

Tipo de Componente: Transistor IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) de canal N.

Voltaje Máximo Soportado (VCES): 630 V.

Corriente Máxima de Colector (Ic): 35 A.

Disipación de Potencia (Pc): 25 W.

Voltaje de Saturación Colector-Emisor (VCE(sat)): 1.9 V típico.

Velocidad de Conmutación: Alta velocidad (tr= 60 ns típ, tf= 200 ns típ).

contenido:

1 x transistor IGBT RJP63K2

1 Artículo
Comentarios (0)
No hay reseñas de clientes en este momento.